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聚碳硅烷先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法制備SiC涂層研究

更新時(shí)間:2024-11-21      點(diǎn)擊次數(shù):28

一、引言


碳化硅(SiC)涂層因其優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、高硬度、良好的化學(xué)惰性以及抗氧化性能,在航空航天、能源、機(jī)械制造等眾多領(lǐng)域具有極為重要的應(yīng)用價(jià)值。例如,在航空發(fā)動(dòng)機(jī)熱端部件上應(yīng)用 SiC 涂層,可顯著提高部件的抗高溫氧化和熱腐蝕能力,延長(zhǎng)其使用壽命;在切削刀具表面制備 SiC 涂層,能夠增強(qiáng)刀具的耐磨性和切削性能。


傳統(tǒng)的 SiC 制備方法如化學(xué)氣相沉積(CVD)、反應(yīng)燒結(jié)等存在設(shè)備昂貴、工藝復(fù)雜、成本較高等局限性。而聚碳硅烷先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法作為一種新型的制備技術(shù),具有工藝相對(duì)簡(jiǎn)單、可在復(fù)雜形狀基底上制備均勻涂層等優(yōu)點(diǎn),近年來受到了廣泛關(guān)注。聚碳硅烷是一種有機(jī)硅聚合物,在高溫下可發(fā)生一系列復(fù)雜的熱解和交聯(lián)反應(yīng),轉(zhuǎn)化為 SiC 陶瓷。本研究旨在深入探究聚碳硅烷先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法制備 SiC 涂層的工藝過程、影響因素以及涂層性能,為其工業(yè)化應(yīng)用奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

二、實(shí)驗(yàn)部分

(一)實(shí)驗(yàn)材料


聚碳硅烷(PCS),購自 [供應(yīng)商名稱],其分子量為 [具體分子量],陶瓷產(chǎn)率約為 [X]%。所用溶劑為二甲苯,分析純,購自 [試劑公司名稱]。實(shí)驗(yàn)采用的基底材料為石墨片(尺寸:[長(zhǎng) × 寬 × 厚])和不銹鋼片(型號(hào):[具體型號(hào)],尺寸:[長(zhǎng) × 寬 × 厚]),基底材料在使用前分別經(jīng)過砂紙打磨、超聲清洗和干燥處理,以去除表面雜質(zhì)和油污,確保涂層與基底的良好結(jié)合。

(二)實(shí)驗(yàn)儀器


  1. 熱重分析儀(TGA):型號(hào) [儀器型號(hào)],用于分析聚碳硅烷在升溫過程中的熱分解行為,測(cè)試條件為:在氮?dú)鈿夥障?,?[升溫速率 1] 從室溫升至 [最高溫度 1],氣體流速為 [流速值 1]。

  2. 掃描電子顯微鏡(SEM):型號(hào) [儀器型號(hào)],用于觀察 SiC 涂層的表面形貌和截面微觀結(jié)構(gòu),加速電壓為 [電壓值]。

  3. X 射線衍射儀(XRD):型號(hào) [儀器型號(hào)],采用 Cu Kα 射線(波長(zhǎng) [波長(zhǎng)值]),掃描范圍為 [起始角度]-[終止角度],步長(zhǎng)為 [步長(zhǎng)值],用于分析涂層的物相組成。

  4. 高溫管式爐:型號(hào) [儀器型號(hào)],用于聚碳硅烷先驅(qū)體的熱解轉(zhuǎn)化過程,可精確控制加熱溫度、升溫速率和保溫時(shí)間。

(三)實(shí)驗(yàn)過程


  1. 先驅(qū)體溶液配制
    將一定量的聚碳硅烷溶解在二甲苯溶劑中,在 [攪拌溫度] 下攪拌 [攪拌時(shí)間],配制成不同濃度(如 [濃度值 1]、[濃度值 2]、[濃度值 3] 等)的先驅(qū)體溶液。先驅(qū)體溶液的濃度通過改變聚碳硅烷與二甲苯的質(zhì)量比來控制。

  2. 涂層制備
    采用浸漬提拉法將處理后的基底材料浸入先驅(qū)體溶液中,浸漬時(shí)間為 [浸漬時(shí)間值],然后以 [提拉速度] 緩慢提拉,使基底表面均勻涂覆一層先驅(qū)體溶液。將涂覆后的樣品在室溫下放置 [干燥時(shí)間 1],使溶劑初步揮發(fā)。之后將樣品放入高溫管式爐中,在氮?dú)鈿夥障逻M(jìn)行熱解轉(zhuǎn)化。熱解過程的升溫速率設(shè)置為 [升溫速率 2]、[升溫速率 3]、[升溫速率 4] 等不同值,熱解溫度分別為 [溫度值 2]、[溫度值 3]、[溫度值 4] 等,保溫時(shí)間為 [保溫時(shí)間值]。為了獲得較厚的涂層,可重復(fù)浸漬提拉和熱解轉(zhuǎn)化過程 [重復(fù)次數(shù)] 次。

三、結(jié)果與討論

(一)聚碳硅烷的熱解行為分析


通過熱重分析儀對(duì)聚碳硅烷的熱解行為進(jìn)行研究。結(jié)果表明,聚碳硅烷在較低溫度范圍內(nèi)(約 [起始溫度區(qū)間 1]-[終止溫度區(qū)間 1])主要發(fā)生小分子物質(zhì)(如溶劑、低聚物等)的揮發(fā)和部分有機(jī)基團(tuán)的初步分解。隨著溫度升高,在 [起始溫度區(qū)間 2]-[終止溫度區(qū)間 2] 區(qū)間內(nèi),聚碳硅烷發(fā)生劇烈的熱解反應(yīng),大量有機(jī)基團(tuán)斷裂、重排和交聯(lián),同時(shí)伴隨著氣體(如氫氣、甲烷等)的釋放,陶瓷產(chǎn)率逐漸增加。當(dāng)溫度高于 [終止溫度區(qū)間 2] 后,熱解反應(yīng)趨于緩慢,最終形成以 SiC 為主的陶瓷產(chǎn)物。了解聚碳硅烷的熱解行為對(duì)于確定合適的熱解工藝參數(shù)具有重要指導(dǎo)意義。

(二)熱解溫度對(duì) SiC 涂層的影響


  1. 涂層微觀結(jié)構(gòu)
    隨著熱解溫度的升高,SiC 涂層的微觀結(jié)構(gòu)發(fā)生顯著變化。在較低熱解溫度(如 [溫度值 2])下,涂層表面較為粗糙,存在較多的孔隙和微裂紋,這是由于低溫下先驅(qū)體熱解不完整,有機(jī)成分殘留較多,在后續(xù)冷卻過程中因體積收縮產(chǎn)生缺陷。當(dāng)熱解溫度升高到 [溫度值 3] 時(shí),涂層表面趨于平整,孔隙和裂紋明顯減少,這是因?yàn)楦邷卮龠M(jìn)了先驅(qū)體的充分熱解和陶瓷化轉(zhuǎn)變,使得涂層更加致密。進(jìn)一步提高熱解溫度到 [溫度值 4],涂層表面出現(xiàn)輕微的晶粒長(zhǎng)大現(xiàn)象,晶粒尺寸分布相對(duì)均勻。

  2. 涂層性能
    在硬度方面,熱解溫度從 [溫度值 2] 升高到 [溫度值 4],SiC 涂層的硬度逐漸增加。這是由于高溫下形成的 SiC 晶體結(jié)構(gòu)更加完整,晶粒間結(jié)合力增強(qiáng)。在抗氧化性能方面,高溫?zé)峤獾玫降耐繉泳哂懈玫目寡趸阅?。例如,?[氧化溫度] 下進(jìn)行氧化實(shí)驗(yàn),熱解溫度為 [溫度值 2] 的涂層在氧化 [時(shí)間值 1] 后,涂層表面出現(xiàn)明顯的氧化層增厚和剝落現(xiàn)象;而熱解溫度為 [溫度值 4] 的涂層在相同氧化條件下,氧化層厚度增加緩慢,且涂層與基底的結(jié)合依然良好。這是因?yàn)楦邷責(zé)峤庑纬傻闹旅芡繉幽軌蛴行ё钃跹鯕獾臄U(kuò)散,減緩氧化反應(yīng)的進(jìn)行。

(三)升溫速率對(duì) SiC 涂層的影響


  1. 涂層微觀結(jié)構(gòu)
    不同升溫速率對(duì) SiC 涂層的微觀結(jié)構(gòu)影響較大。在較低升溫速率(如 [升溫速率 2])下,涂層的截面呈現(xiàn)出較為明顯的分層結(jié)構(gòu),這是由于升溫緩慢使得先驅(qū)體在不同溫度段的熱解反應(yīng)相對(duì)獨(dú)立,形成了具有不同結(jié)構(gòu)和性能的層狀組織。隨著升溫速率增加到 [升溫速率 3],涂層的分層現(xiàn)象逐漸減弱,結(jié)構(gòu)更加均勻。當(dāng)升溫速率進(jìn)一步提高到 [升溫速率 4] 時(shí),涂層中出現(xiàn)了少量的氣孔和微裂紋,這是因?yàn)檫^快的升溫速率導(dǎo)致先驅(qū)體在熱解過程中氣體釋放過快,來不及逸出而形成氣孔,同時(shí)由于熱應(yīng)力的作用產(chǎn)生微裂紋。

  2. 涂層性能
    在涂層的附著力方面,較低升溫速率下制備的涂層附著力相對(duì)較好。例如,采用劃痕法測(cè)試涂層附著力,升溫速率為 [升溫速率 2] 的涂層在劃痕過程中,涂層剝落面積較??;而升溫速率為 [升溫速率 4] 的涂層剝落面積較大。這是由于分層結(jié)構(gòu)的涂層在受到外力作用時(shí),各層之間能夠起到一定的緩沖和協(xié)同作用,而快速升溫制備的涂層內(nèi)部缺陷較多,降低了涂層與基底的結(jié)合強(qiáng)度。在電學(xué)性能方面,升溫速率的變化也會(huì)對(duì)涂層的電阻率產(chǎn)生影響。隨著升溫速率的增加,涂層的電阻率呈現(xiàn)出先降低后升高的趨勢(shì),這與涂層的微觀結(jié)構(gòu)和晶體缺陷密切相關(guān)。

(四)先驅(qū)體濃度對(duì) SiC 涂層的影響


  1. 涂層微觀結(jié)構(gòu)
    先驅(qū)體濃度對(duì) SiC 涂層的厚度和致密性有著直接影響。當(dāng)先驅(qū)體濃度較低(如 [濃度值 1])時(shí),經(jīng)過多次浸漬提拉和熱解后,涂層厚度較薄,且涂層中存在較多的孔隙,這是因?yàn)榈蜐舛认闰?qū)體溶液在每次涂覆過程中沉積的先驅(qū)體較少,難以形成致密的涂層。隨著先驅(qū)體濃度增加到 [濃度值 2],涂層厚度明顯增加,孔隙率降低,涂層更加致密。然而,當(dāng)先驅(qū)體濃度過高(如 [濃度值 3])時(shí),涂層表面容易出現(xiàn)流掛現(xiàn)象,導(dǎo)致涂層厚度不均勻,并且在熱解過程中由于有機(jī)成分過多,容易產(chǎn)生較大的內(nèi)應(yīng)力,使涂層出現(xiàn)裂紋。

  2. 涂層性能
    在涂層的耐磨性能方面,隨著先驅(qū)體濃度的增加,涂層的耐磨性能先提高后降低。在先驅(qū)體濃度為 [濃度值 2] 時(shí),涂層具有最佳的耐磨性能。這是因?yàn)榇藭r(shí)涂層厚度適中且較為致密,能夠有效抵抗磨損過程中的外力作用。在耐腐蝕性能方面,較高濃度先驅(qū)體制備的涂層在酸性和堿性溶液中的耐腐蝕性能較好。例如,在 [酸性溶液名稱] 和 [堿性溶液名稱] 中浸泡相同時(shí)間后,先驅(qū)體濃度為 [濃度值 3] 的涂層的質(zhì)量損失率明顯低于先驅(qū)體濃度為 [濃度值 1] 的涂層,這是由于高濃度先驅(qū)體形成的厚涂層能夠更好地隔離腐蝕介質(zhì)與基底材料。

四、結(jié)論


本研究通過聚碳硅烷先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法成功制備了 SiC 涂層。系統(tǒng)研究了熱解溫度、升溫速率、先驅(qū)體濃度等工藝參數(shù)對(duì) SiC 涂層微觀結(jié)構(gòu)和性能的影響。結(jié)果表明,熱解溫度升高可使涂層更加致密、硬度和抗氧化性能提高;升溫速率影響涂層的分層結(jié)構(gòu)、附著力和電學(xué)性能;先驅(qū)體濃度決定涂層厚度、致密性、耐磨和耐腐蝕性能。通過優(yōu)化工藝參數(shù),可以制備出具有優(yōu)異性能的 SiC 涂層,滿足不同領(lǐng)域的應(yīng)用需求。該研究為聚碳硅烷先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法制備 SiC 涂層提供了全面的理論依據(jù)和實(shí)踐指導(dǎo),有助于推動(dòng) SiC 涂層在高溫防護(hù)、耐磨、耐腐蝕等領(lǐng)域的進(jìn)一步應(yīng)用和發(fā)展。未來研究可進(jìn)一步探索其他添加劑或復(fù)合工藝對(duì) SiC 涂層性能的改善作用,拓展其應(yīng)用范圍。


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